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150W, 28/32V LDMOS FET设计用于宽带通信和ISM应用。
[导读] 两输入端晶体管或非门电路图
[导读] 晶体管高速开关电路原理图
[导读] 晶体管中速开关电路图
[导读] 控制基极的晶体管电子继电器电路图
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平面MOSFET的大安全工作区。这就解决了RDS(on)与线性模式功能之间的平衡问题。OptiMOS线性场效应晶体管可在增强模式MOSFET的饱和区工作。O...
内置偏置电阻的电阻配置双晶体管(ret)。
本文主要介绍了晶体管主要参数都是有哪些?具体参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。
EVAL-IGBT-1200V-247评估板提供了在TO-247和TO-247 plus封装中的1200V igbt(绝缘栅双极晶体管)的通用演示和测试平台,并具有三或四引线。EVAL-IGBT-1200V-247允许评估由TO-247PL...
本文详细介绍了晶体管的代换原则,具体包括晶体管代换的三条原则:类型相同、特性相近、外形相似。
本文详细介绍了晶体管的检测和更换方法以及电极的判断方法。
Diodes公司推出AP9050专用保护接口,为新一代电源管理IC (PMIC) 提供过压保护。新器件包含一个LDO稳压器和一个N沟道功率场效应晶体管(FET),能够妥善控制供给PMIC的电流,在出现有效的墙上适配器或USB电源电压时启动,当检测到过压情况时立即关掉。AP9050的输入...
本文详细介绍了晶体管的h参数。
最近曝光了关于用于PC的骁龙1000处理器,也就是所谓的Snapdragon 8180,现在高通已准备好和其他竞争对手更好地比拼。
美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点,实现量子隧穿效应,制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。 几十年来,电子设备变得越来越小,科学家们现已...
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